මට මේක තේරෙන් නෑ

[AnuradhaRa]

මට මේක තේරෙන් නෑ

Diode එකක් forward bias කළාම depletion region (depletion zone) එක නැතුව යනව කියනව නේ..
මේ තියෙන්නෙ,

ඒක කොහොමද මචංල වෙන්නෙ
කියල තියෙන විදියටනං ෆෝවර්ඩ් බයස් කළාම වෙන්නෙ, බැටරියෙන් එන ධන ආරෝපණ බලේටයි, රිණ ආරෝපණ බලේටයි, මේක පීඩනයකට ලක් වෙලා නැති වෙලා යනව කියල
ඒක පොඩ්ඩක් පැහැදිලි කරල දියල්ලකො
depletion region නැතුව යන්නෙ කොහොමද ? පීඩනයකට ලක්වෙලා චප්ප වෙලා යනවද ? නැත්තං ඒක විනාස වෙනවද ?

 

[AnuradhaRa]

When we apply voltage to the terminals of diode, the width of depletion region slowly starts decreasing. The reason for this is, in forward bias we apply voltage in a direction opposite to that of barrier potential. We know the p-side of diode is connected to positive terminal and n-side of diode is connected to negative terminal of battery. So the electrons in n-side gets pushed towards the junction (by force of repulsion) and the holes in p-side gets pushed towards the junction. As the applied voltage increases from 0 volts to 0.7 volts, the depletion region width reduces from ‘W’ to zero. This means depletion region vanishes at 0.7 volts of applied voltage. This results in increased diffusion of electrons from n-side to p-side region and the increased diffusion of holes from p-side to n-side region. In other words, “minority carrier” injection happens on both p-side (in a normal diode (without bias) electrons are a minority on p-side) and n-side (holes are a minority on n-side) of the diode.

 

[AnuradhaRa]

ඒ වගේම තමා ඒකෙ අනික් පැත්තත්
reverse bias කළාම මේ depletion zone එක දෙපැත්තට ඇදෙනවද ? නැත්තං අලුතින් ගොඩ නැගෙනවද ?
මොකද depletion zone එකේ පළල වැඩි වෙනව කියනවනෙ..

 

[AnuradhaRa]

silentshan වත් මේකට පිලිතුරක් ලබා දෙන්ඩ

 

[AnuradhaRa]

මේකට තාම මට පිලිතුරක් ලැබුනේ නැත